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2018-08-11

(文/董磊)资料图片:在叙利亚阿夫林地区开进的土耳其陆军豹2A4坦克部队。(图片来源于网络)6月8日报道在因土耳其欲购买俄罗斯S-400防空系统而引发的新仇,和库尔德问题上严重对立的旧怨的夹攻下,土耳其与美国这对北约盟友嫌隙渐深。但是6月4日,美国与土耳其的关系迎来了峰回路转两国签署关于叙利亚北部曼比季安全稳定问题的合作路线图,而土耳其也宣布美国将如期向其交付F-35战机。

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  除了首都柏林,汉堡、慕尼黑、法兰克福均榜上有名。其中,与2016年相比,汉堡的房价增幅达%,位于第七位;慕尼黑为%,排名第八;法兰克福%,排名第十。紧随柏林的是土耳其的沿海城市伊兹密尔,房价增幅达%。排名第三的则是冰岛首都雷克雅未克(%)。此前,为抑制房价大幅上涨,加拿大卑诗省政府对省内房价,尤其是首府温哥华所在地区的房价出台新政。

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  “实际上房颤患者如果早发现早处理,接受规范治疗,是可防可控的,及时处理房颤问题,也可在很大程度上降低脑卒中的发生率。”黄晓波说,心源性卒中在临床上占所有卒中的20%左右,是卒中的首位诱因。警惕:莫名“心如鹿撞”非好事宾建平介绍,房颤的发病率在人群中随着年龄增高而增高。而随着社会人口老龄化以及现代生活水平提高带来的不良生活方式影响,同时也有筛查率提高的因素,临床上高血压、慢性心脏病等患者越来越多,房颤的发病率也有增长的趋势。宾建平提醒,中老年人尤其是有高血压病史的,如果突然出现不明原因的心跳、心慌、脑供血不足(头晕)症状,也就是心跳出现“快、乱、慌”的情况,可别以为是焕发青春,最好筛查一下房颤。

  对于数百瓦到千瓦的AC-DC电源,其效率取决于功率因子校正()和后级的变换效率。

尽管人们今天已经能较好地理解变换器的成本和性能间的利弊权衡,但从电路和控制技术的角度来讲,技术一直处于落后状态。 不过,这种局面最近已经开始改变。

本文将讨论该技术领域的一些发展,以及电源设计工程师如何把握各种设计观点和建议。

  AC-DC变换器中的损耗  AC-DC变换器中的功率损耗一般包括:  ·升压二极管中的反向恢复损耗;  ·输入整流桥的损耗;  ·EMI滤波器中的损耗;  ·功率开关管的损耗;  ·电感/扼流线圈损耗。

  升压二极管中反向恢复损耗  PFC变换器一般采用两种控制技术:连续电流模式(CCM)和边界模式(BCM),后者也称作变调模式(TM)或临界模式(CRM)。 在CCM变换器中,控制IC用固定频率调整占空比(PWM)来调节升压电感的平均电流。 在BCM变换器中,该电感电流在开关导通前可以回到零,因而是一个频率可变的控制方案。   当CCM变换器中的MOSFET导通时,由于仍有电感电流流经升压整流二极管,升压整流二极管将经历反向恢复过程(二极管内的反向电流消失的过程)。 这将在主MOSFETM1中造成功率损耗。

在BCM变换器中,电感电流在MOSFET导通时基本上为零,即实现了软开关功能。

因此,采用BCM控制技术的反向恢复损耗最小。   但采用BCM所得到的好处并非无代价的。 BCM的峰值电感电流比CCM高出两倍;较高的峰值电感电流在MOSFET和二极管中会都造成较大的导通损耗,并在电感中造成更大的功率损耗。 因此,BCM模式的变换器局限于输出功率在250W到300W的应用中。   此外,二极管技术的改进已提高了CCM模式的PFC变换器效率。

碳化硅(SiC)整流二极管已经使反向恢复效应大幅降低,这有助于将问题解决,但成本较高。

超快速硅二极管产品也能降低反向恢复损耗,但代价是导通损耗较高。   输入整流桥的损耗  AC-DC变换器有用四个慢速恢复二极管构成的输入整流桥。

这些二极管的功率损耗相当可观。

因此,就有了所谓的无桥PFC技术,即将图1中整流桥的下面两个二极管换成两个受控驱动的MOSFET作为升压开关(注意无桥一词可能用得不当,因为输入整流二极管仍然存在)。

这些桥接二极管起到了升压二极管AC-DC变换器有用四个慢速恢复二极管构成的输入整流桥。 这些二极管的功率损耗相当可观。 因此,就有了所谓的无桥PFC技术,即将图1中整流桥的下面两个二极管换成两个受控驱动的MOSFET作为升压开关(注意无桥一词可能用得不当,因为输入整流二极管仍然存在)。 这些桥接二极管起到了升压二极管的作用,省掉了传统技术中的升压二极管部件。

从理论上讲,这会提高效率,因为电流在某一时刻只流经两颗半导体器件,而不是三颗。